| Author |
Title |
Year |
Publication  |
Volume |
Pages |
| Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Елантьев, А. И.; Карасик, Б. С.; Потоскуев, С. Э. |
Разогрев электронов в резистивном состоянии сверхпроводника электромагнитным излучением значительной интенсивности |
1988 |
Физика низких температур |
14 |
753-763 |
| Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. |
Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge |
1989 |
Физика и техника полупроводников |
23 |
1356-1361 |
| Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Елантьев, А. И.; Кагане, М. Л.; Мултановский, В. В.; Птицина, Н. Г. |
Применение субмиллиметровой ЛОВ спектроскопии для определения химической природы и концентрации примесей в чистых полупроводниках |
1983 |
Физика и техника полупроводников |
17 |
1430-1437 |
| Гершензон, Е. М.; Грачев, С. А.; Литвак-Горская, Л. Б. |
Механизм преобразования частоты в n-InSb-смесителе |
1991 |
Физика и техника полупроводников |
25 |
1986-1998 |
| Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М.; Гусинский, Э. Н.; Литвак-Горская, Л. Б. |
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла |
1990 |
Физика и техника полупроводников |
24 |
2145-2150 |
