Author |
Title |
Year |
Publication |
Volume |
Pages |
Гершензон, Е. М.; Гершензон, М. Е.; Гольцман, Г. Н.; Семенов, А. Д.; Сергеев, А. В. |
Неселективное воздействие электромагнитного излучения на сверхпроводящую пленку в резистивном состоянии |
1982 |
Письма в ЖЭТФ |
36 |
241-244 |
Третьяков, И.В.; Рябчун, С.А.; Каурова, Н.С.; Ларионов, П.А.; Лобастова, А.А.; Воронов, Б.М.; Финкель, М.И.; Гольцман, Г.Н. |
Оптимальная поглощенная мощность гетеродина для терагерцового сверхпроводникового NbN смесителя на электронном разогреве |
2010 |
Письма в Журнал технической физики |
36 |
78-84 |
Ожегов, Р.В.; Горшков, К.Н.; Окунев, О.В.; Гольцман, Г.Н. |
Сверхпроводниковый смеситель на эффекте электронного разогрева как элемент матрицы системы построения тепловых изображений |
2010 |
Письма в Журнал технической физики |
36 |
70-78 |
Корнеев, А. А.; Минаева, О.; Рубцова, И.; Милостная, И.; Чулкова, Г.; Воронов, Б.; Смирнов, К.; Селезнёв, В.; Гольцман, Г.; Pearlman, A.; Slysz, W.; Cross, A.; Alvarez, P.; Верёвкин, А.; Sobolewski, R. |
Сверхпроводящий однофотонный детектор на основе ультратонкой пленки NbN |
2005 |
Квантовая электроника |
35 |
698-700 |
Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. |
Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge |
1990 |
Физика и техника полупроводников |
24 |
1881-1883 |