| Author |
Title |
Year |
Publication |
Volume  |
Pages |
| Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И. |
Концентрационная зависимость полосы преобразования смесителей субмиллиметрового диапазона на основе наноструктур AlGaAs/GaAs |
2010 |
Изв. РАН Сер. Физ. |
74 |
110-112 |
| Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И. |
Полоса и потери преобразования полупроводникового смесителя с фононным каналом охлаждения двумерных электронов |
2010 |
Физика и техника полупроводников |
44 |
1475-1478 |
| Кардакова, А. И.; Финкель, М. И.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Ан, П. П.; Гольцман, Г. Н. |
Время электрон-фононного взаимодействия в сверхпроводниковых пленках нитрида титана |
2014 |
Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» |
1 |
47-48 |
| Проходцов, А. И.; Голиков, А. Д.; Ан, П. П.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н. |
Влияние покрытия из оксида кремния на эффективность фокусирующего решеточного элемента связи из нитрида кремния |
2019 |
Proc. IWQO |
|
201-203 |
| Елманов, И. А.; Елманова, А. В.; Голиков, А. Д.; Комракова, С. А.; Каурова, Н. С.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н. |
Способ определения параметров резистов для электронной литографии фотонных интегральных схем на платформе нитрида кремния |
2019 |
Proc. IWQO |
|
306-308 |
