List View
 |   | 
   web
Author Title Year Publication Volume Pages
Gershenzon, E. M.; Goltsman, G.; Orlova, S.; Ptitsina, N.; Gurvich, Y. Germanium hot-electron narrow-band detector 1971 Sov. Radio Engineering And Electronic Physics 16 1346
Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge 1989 Физика и техника полупроводников 23 1356-1361
Voevodin, E. I.; Gershenzon, E. M.; Goltsman, G. N.; Ptitsina, N. G. Energy-spectrum of shallow acceptors in Ge deformed strongly by a uniaxial pressure 1989 Sov. Phys. and Technics of Semiconductors 23 843-846
Gershenzon, E. M.; Gurvich, Yu. A.; Orlova, S. L.; Ptitsina, N. G. Cyclotron resonance of electrons in Ge in a quantizing magnetic field in the case of inelastic scattering by acoustic phonons 1975 Sov. Phys. JETP 40 311-315
Gershenzon, E. M.; Gurvich, Y. A.; Orlova, S. L.; Ptitsina, N. G. Scattering of electrons by charged impurities in Ge under cyclotron resonance conditions 1976 Presumably: Sov. Phys. Semicond. | Физика и техника полупроводников 10 1379-1383
Bondarenko, O. I.; Gershenzon, E. M.; Gurvich, Y. A.; Orlova, S. L.; Ptitsina, N. G. Measurement of the width of the cyclotron resonance line of n-type Ge in quantizing magnetic fields 1972 Presumably: Sov. Phys. Semicond. | Физика и техника полупроводников 6 362-363
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. Об одном способе определения концентрации глубоких примесей в германии 1983 Физика и техника полупроводников 17 1896-1898
Gershenzon, E. M.; Gol'tsman, G. N. Transitions of electrons between excited states of donors in germanium 1971 JETP Lett. 14 63-65
Gershenzon, E. M.; Goltsman, G. N. Zeeman effect in excited-states of donors in germanium 1972 Sov. Phys. Semicond. 6 509
Gershenzon, E. M.; Gol'tsman, G. N.; Multanovskii, V. V.; Ptitsina, N. G. Kinetics of electron and hole binding into excitons in germanium 1983 Sov. Phys. JETP 57 369-376
Gershenzon, E. M.; Gol'tsman, G. N.; Ptitsina, N. G. Observation of the free-exciton spectrum at submillimeter wavelengths 1972 JETP Lett. 16 161-162
Gershenzon, E. M.; Goltsman, G. N.; Multanovskii, V. V.; Ptitsina, N. G. Kinetics of submillimeter impurity and exciton photoconduction in Ge 1982 Optics and Spectroscopy 52 454-455
Gershenzon, E. M.; Gol'tsman, G. N.; Multanovskii, V. V.; Ptitsina, N. G. Cross section for binding of free carriers into excitons in germanium 1981 JETP Lett. 33 574
Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г.; Ригер, Е. Р. Оже-рекомбинация свободных носителей на мелких донорах в германии 1984 Физика и техника полупроводников 18 1684-1686
Gershenzon, E. M.; Gol'tsman, G. N.; Ptitsina, N. G. Investigation of free excitons in Ge and their condensation at submillimeter wavelengths 1976 Sov. Phys. JETP 43 116-122