| |
Author |
Title  |
Year |
Publication |
Volume |
Pages |
Links |
|
|
Проходцов, А. И.; Голиков, А. Д.; Ан, П. П.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н. |
Влияние покрытия из оксида кремния на эффективность фокусирующего решеточного элемента связи из нитрида кремния |
2019 |
Proc. IWQO |
|
201-203 |
|
|
|
Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. |
Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge |
1990 |
Физика и техника полупроводников |
24 |
1881-1883 |
|
|
|
Gershenzon, E. M.; Goltsman, G. N. |
Zeeman effect in excited-states of donors in germanium |
1972 |
Sov. Phys. Semicond. |
6 |
509 |
|
|
|
Cherednichenko, S.; Ronnung, F.; Gol'tsman, G.; Gershenzon, E.; Winkler, D. |
YBa2Cu3O7-δ hot-electron bolometer with submicron dimensions |
1999 |
Proc. 10th Int. Symp. Space Terahertz Technol. |
|
181-189 |
|
|
|
Cherednichenko, S.; Rönnung, F.; Gol’tsman, G.; Kollberg, E.; Winkler, D. |
YBa2Cu3O7-δ hot-electron bolometer mixer at 0.6 THz |
2000 |
Proc. 11th Int. Symp. Space Terahertz Technol. |
|
517-522 |
|
