List View
 |   | 
   web
Author Title (up) Year Publication Volume Pages
An, Zhenghua; Chen, Jeng-Chung; Ueda, T.; Komiyama, S.; Hirakawa, K. Infrared phototransistor using capacitively coupled two-dimensional electron gas layers 2005 Applied Physics Letters 86 172106 - 172106-3
Verevkin, A. A.; Ptitsina, N. G.; Smirnov, K. V.; Voronov, B. M.; Gol’tsman, G. N.; Gershenson, E. M.; Yngvesson, K. S. Multiple Andreev reflection in hybrid AlGaAs/GaAs structures with superconducting NbN contacts 1999 Semicond. 33 551-554
Uchiki, Hisao; Kobayashi, Takayoshi; Sakaki, Hiroyuki Photoluminescence and energy‐loss rates in GaAs quantum wells under high‐density excitation 1987 J. Appl. Phys. 62 1010-1016
Cao, Q.; Yoon, S. F.; Tong, C. Z.; Ngo, C. Y.; Liu, C. Y.; Wang, R.; Zhao, H. X. Two-state competition in 1.3 μm multilayer InAs/InGaAs quantum dot lasers 2009 Applied Physics Letters 95 3
Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И. Концентрационная зависимость полосы преобразования смесителей субмиллиметрового диапазона на основе наноструктур AlGaAs/GaAs 2010 Изв. РАН Сер. Физ. 74 110-112