| Author |
Title |
Year |
Publication  |
Volume |
Pages |
| Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И. |
Полоса и потери преобразования полупроводникового смесителя с фононным каналом охлаждения двумерных электронов |
2010 |
Физика и техника полупроводников |
44 |
1475-1478 |
| Смирнов, К. В. |
AlGaAs/GaAs смеситель на эффекте разогрева двумерных электронов для тепловизора субмиллиметрового диапазона |
2003 |
Тезисы докладов VI Российской конференции по физике полупроводников |
|
181 |
| Гольцман, Г. Н.; Смирнов, К. В. |
По итогам проектов российского фонда фундаментальных исследований. Проект РФФИ # 98-02-16897 Электрон-фононное взаимодействие в двумерном электронном газе полупроводниковых гетероструктур при низких температурах |
2001 |
Письма в ЖЭТФ |
74 |
532-538 |
| Смирнов, Константин Владимирович |
Энергетическая релаксация электронов в 2D-канале гетеропереходов GAAS/ALGAAS и транспортные процессы в структурах полупроводник-сверхпроводник на их основе |
2000 |
М. МПГУ |
|
|
| Verevkin, A. A.; Ptitsina, N. G.; Chulcova, G. M.; Gol'tsman, G. N.; Gershenzon, E. M.; Yngvesson, K. S. |
Direct measurements of energy relaxation time of electrons in AlGaAs/GaAs heterostructures under quasi-equilibrium conditions |
1996 |
Surface Science |
361-362 |
569-573 |
