| Author |
Title |
Year |
Publication  |
Volume |
Pages |
| Гершензон, Е. М.; Грачев, С. А.; Литвак-Горская, Л. Б. |
Механизм преобразования частоты в n-InSb-смесителе |
1991 |
Физика и техника полупроводников |
25 |
1986-1998 |
| Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М.; Гусинский, Э. Н.; Литвак-Горская, Л. Б. |
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла |
1990 |
Физика и техника полупроводников |
24 |
2145-2150 |
| Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. |
Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge |
1990 |
Физика и техника полупроводников |
24 |
1881-1883 |
| Гальперин, Ю. М.; Гершензон, Е. М.; Дричко, И. Л.; Литвак-Горская, Л. Б. |
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах |
1990 |
Физика и техника полупроводников |
24 |
3-24 |
| Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. |
Особенности температурной зависимости холловской подвижности в легированных и некомпенсированных полупроводниках |
1989 |
Физика и техника полупроводников |
23 |
338-345 |
