@InProceedings{_etal2019,
author="Елманов, И А
and Елманова, А В
and Голиков, А Д
and Комракова, С А
and Каурова, Н С
and Ковалюк, В В
and Гольцман, Г Н",
title="Способ определения параметров резистов для электронной литографии фотонных интегральных схем на платформе нитрида кремния",
booktitle="Proc. IWQO",
year="2019",
pages="306--308",
optkeywords="Si3N4; e-beam lithography; EBL",
abstract="В работе были измерены толщины резистов ZEP 520A и ma-N 2400 для электронно-лучевой литографии, неразрушающим способом, а также подобран рецепт, обеспечивающий высокое отношение скорости травления нитрида кремния по сравнению с резистом. Работа имеет практическое значение для электронной литографии интегрально-оптических устройств и устройств нанофотоники на основе нитрида кремния.",
optnote="Duplicated as 1189",
optnote="exported from refbase (https://db.rplab.ru/refbase/show.php?record=1284), last updated on Sat, 08 May 2021 23:13:45 -0500",
opturl="http://iwqo.su/en/publications-iwqo-2019"
}