%0 Conference Proceedings
%T Способ определения параметров резистов для электронной литографии фотонных интегральных схем на платформе нитрида кремния
%A Елманов, И А
%A Елманова, А В
%A Голиков, А Д
%A Комракова, С А
%A Каурова, Н С
%A Ковалюк, В В
%A Гольцман, Г Н
%S Proc. IWQO
%D 2019
%F _etal2019
%O Duplicated as 1189
%O exported from refbase (https://db.rplab.ru/refbase/show.php?record=1284), last updated on Sat, 08 May 2021 23:13:45 -0500
%X В работе были измерены толщины резистов ZEP 520A и ma-N 2400 для электронно-лучевой литографии, неразрушающим способом, а также подобран рецепт, обеспечивающий высокое отношение скорости травления нитрида кремния по сравнению с резистом. Работа имеет практическое значение для электронной литографии интегрально-оптических устройств и устройств нанофотоники на основе нитрида кремния.
%K Si3N4
%K e-beam lithography
%K EBL
%U http://iwqo.su/en/publications-iwqo-2019
%P 306-308