PT Unknown
AU Елманов, ��
   Елманова, ��
   Голиков, ��
   Комракова, ��
   Каурова, ��
   Ковалюк, ��
   Гольцман, ��
TI Способ определения параметров резистов для электронной литографии фотонных интегральных схем на платформе нитрида кремния
SE Proc. IWQO
PY 2019
BP 306
EP 308
DE Si3N4; e-beam lithography; EBL
AB В работе были измерены толщины резистов ZEP 520A и ma-N 2400 для электронно-лучевой литографии, неразрушающим способом, а также подобран рецепт, обеспечивающий высокое отношение скорости травления нитрида кремния по сравнению с резистом. Работа имеет практическое значение для электронной литографии интегрально-оптических устройств и устройств нанофотоники на основе нитрида кремния.
ER