TY  - CONF
AU  - Елманов, И А
AU  - Елманова, А В
AU  - Голиков, А Д
AU  - Комракова, С А
AU  - Каурова, Н С
AU  - Ковалюк, В В
AU  - Гольцман, Г Н
PY  - 2019
DA  - 2019//
TI  - Способ определения параметров резистов для электронной литографии фотонных интегральных схем на платформе нитрида кремния
T2  - Proc. IWQO
BT  - Proc. IWQO
SP  - 306
EP  - 308
KW  - Si3N4
KW  - e-beam lithography
KW  - EBL
AB  - В работе были измерены толщины резистов ZEP 520A и ma-N 2400 для электронно-лучевой литографии, неразрушающим способом, а также подобран рецепт, обеспечивающий высокое отношение скорости травления нитрида кремния по сравнению с резистом. Работа имеет практическое значение для электронной литографии интегрально-оптических устройств и устройств нанофотоники на основе нитрида кремния.
UR  - http://iwqo.su/en/publications-iwqo-2019
N1  - Duplicated as 1189
ID  - _etal2019
ER  -