@Article{_etal1989,
author="Воеводин, Е И
and Гершензон, Е М
and Гольцман, Г Н
and Птицина, Н Г",
title="Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge",
journal="Физика и техника полупроводников",
year="1989",
volume="23",
number="8",
pages="1356--1361",
optkeywords="Ge; crystallography",
abstract="Проведены исследования спектров фототермической ионизации мелких акцепторов (В, Аl) в Ge, предельно сжатом вдоль кристаллографической оси [100]. Из данных измерений с учетом теории построен энергетический спектр примесей. Показано, что энергии большого числа уровней четных и нечетных состояний хорошо соответствуют расчету, выполненному для примесей в анизотропном полупроводнике с параметром анизотропии $\gamma$=m*⊥/m*||>1.",
optnote="Duplicated as 1692",
optnote="exported from refbase (https://db.rplab.ru/refbase/show.php?record=1691), last updated on Thu, 27 May 2021 23:30:14 -0500",
opturl="http://mi.mathnet.ru/phts3471",
language="Russian"
}