%0 Journal Article
%T Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge
%A Воеводин, Е И
%A Гершензон, Е М
%A Гольцман, Г Н
%A Птицина, Н Г
%J Физика и техника полупроводников
%D 1989
%V 23
%N 8
%G Russian
%F _etal1989
%O Duplicated as 1692
%O exported from refbase (https://db.rplab.ru/refbase/show.php?record=1691), last updated on Thu, 27 May 2021 23:30:14 -0500
%X Проведены исследования спектров фототермической ионизации мелких акцепторов (В, Аl) в Ge, предельно сжатом вдоль кристаллографической оси [100]. Из данных измерений с учетом теории построен энергетический спектр примесей. Показано, что энергии большого числа уровней четных и нечетных состояний хорошо соответствуют расчету, выполненному для примесей в анизотропном полупроводнике с параметром анизотропии γ=m∗⊥/m∗∥>1.
%K Ge
%K crystallography
%U http://mi.mathnet.ru/phts3471
%P 1356-1361