PT Journal
AU Воеводин, ��
   Гершензон, ��
   Гольцман, ��
   Птицина, ��
TI Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge
SO Физика и техника полупроводников
JI Физика и техника полупроводников
PY 1989
BP 1356
EP 1361
VL 23
IS 8
LA Russian
DE Ge; crystallography
AB Проведены исследования спектров фототермической ионизации мелких акцепторов (В, Аl) в Ge, предельно сжатом вдоль кристаллографической оси [100]. Из данных измерений с учетом теории построен энергетический спектр примесей. Показано, что энергии большого числа уровней четных и нечетных состояний хорошо соответствуют расчету, выполненному для примесей в анизотропном полупроводнике с параметром анизотропии γ=m∗⊥/m∗∥>1.
ER