@Article{Voevodin_etal1989,
author="Voevodin, E. I.
and Gershenzon, E. M.
and Goltsman, G. N.
and Ptitsina, N. G.",
title="Energy-spectrum of shallow acceptors in Ge deformed strongly by a uniaxial pressure",
journal="Sov. Phys. and Technics of Semiconductors",
year="1989",
volume="23",
number="8",
pages="843--846",
optkeywords="Ge; crystallography",
abstract="Проведены исследования спектров фототермической ионизации мелких акцепторов (В, Аl) в Ge, предельно сжатом вдоль кристаллографической оси [100]. Из данных измерений с учетом теории построен энергетический спектр примесей. Показано, что энергии большого числа уровней четных и нечетных состояний хорошо соответствуют расчету, выполненному для примесей в анизотропном полупроводнике с параметром анизотропии $\gamma$=m*⊥/m*||>1.",
optnote="Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge",
optnote="exported from refbase (https://db.rplab.ru/refbase/show.php?record=1692), last updated on Thu, 27 May 2021 23:32:15 -0500",
opturl="http://mi.mathnet.ru/eng/phts3471"
}