%0 Journal Article
%T Energy-spectrum of shallow acceptors in Ge deformed strongly by a uniaxial pressure
%A Voevodin, E. I.
%A Gershenzon, E. M.
%A Goltsman, G. N.
%A Ptitsina, N. G.
%J Sov. Phys. and Technics of Semiconductors
%D 1989
%V 23
%N 8
%F Voevodin_etal1989
%O Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge
%O exported from refbase (https://db.rplab.ru/refbase/show.php?record=1692), last updated on Thu, 27 May 2021 23:32:15 -0500
%X Проведены исследования спектров фототермической ионизации мелких акцепторов (В, Аl) в Ge, предельно сжатом вдоль кристаллографической оси [100]. Из данных измерений с учетом теории построен энергетический спектр примесей. Показано, что энергии большого числа уровней четных и нечетных состояний хорошо соответствуют расчету, выполненному для примесей в анизотропном полупроводнике с параметром анизотропии γ=m∗⊥/m∗∥>1.
%K Ge
%K crystallography
%U http://mi.mathnet.ru/eng/phts3471
%P 843-846