PT Journal AU Voevodin, EI Gershenzon, EM Goltsman, GN Ptitsina, NG TI Energy-spectrum of shallow acceptors in Ge deformed strongly by a uniaxial pressure SO Sov. Phys. and Technics of Semiconductors JI Sov. Phys. and Technics of Semiconductors PY 1989 BP 843 EP 846 VL 23 IS 8 DE Ge; crystallography AB Проведены исследования спектров фототермической ионизации мелких акцепторов (В, Аl) в Ge, предельно сжатом вдоль кристаллографической оси [100]. Из данных измерений с учетом теории построен энергетический спектр примесей. Показано, что энергии большого числа уровней четных и нечетных состояний хорошо соответствуют расчету, выполненному для примесей в анизотропном полупроводнике с параметром анизотропии γ=m∗⊥/m∗∥>1. ER