TY  - JOUR
AU  - Voevodin, E. I.
AU  - Gershenzon, E. M.
AU  - Goltsman, G. N.
AU  - Ptitsina, N. G.
PY  - 1989
DA  - 1989//
TI  - Energy-spectrum of shallow acceptors in Ge deformed strongly by a uniaxial pressure
T2  - Sov. Phys. and Technics of Semiconductors
JO  - Sov. Phys. and Technics of Semiconductors
SP  - 843
EP  - 846
VL  - 23
IS  - 8
KW  - Ge
KW  - crystallography
AB  - Проведены исследования спектров фототермической ионизации мелких акцепторов (В, Аl) в Ge, предельно сжатом вдоль кристаллографической оси [100]. Из данных измерений с учетом теории построен энергетический спектр примесей. Показано, что энергии большого числа уровней четных и нечетных состояний хорошо соответствуют расчету, выполненному для примесей в анизотропном полупроводнике с параметром анизотропии γ=m∗⊥/m∗∥>1.
UR  - http://mi.mathnet.ru/eng/phts3471
N1  - Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge
ID  - Voevodin_etal1989
ER  -