%0 Journal Article
%T Capture of free holes by charged acceptors in uniaxially deformed Ge
%A Voevodin, E. I.
%A Gershenzon, E. M.
%A Goltsman, G. N.
%A Ptitsina, N. G.
%A Chulkova, G. M.
%J Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
%D 1988
%V 22
%N 3
%G Russian
%F Voevodin_etal1988
%O Захват свободных дырок заряженными акцепторами в одноосно деформированном Ge
%O exported from refbase (https://db.rplab.ru/refbase/show.php?record=1698), last updated on Fri, 28 May 2021 14:01:23 -0500
%X Цель настоящей работы — исследование кинетики примесной фотопрово­димости p-Ge при сильном одноосном сжатии в широком диапазоне изменения интенсивности примесного подсвета, создающего свободные дырки, и опреде­ление сечения каскадного захвата дырок на мелкие заряженные акцепторы в условиях преобладания электрон-фононного механизма потерь энергии.
%K Ge
%K free holes
%K capture
%U http://mi.mathnet.ru/eng/phts2787
%P 540-543