%0 Journal Article %T Capture of free holes by charged acceptors in uniaxially deformed Ge %A Voevodin, E. I. %A Gershenzon, E. M. %A Goltsman, G. N. %A Ptitsina, N. G. %A Chulkova, G. M. %J Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov %D 1988 %V 22 %N 3 %G Russian %F Voevodin_etal1988 %O Захват свободных дырок заряженными акцепторами в одноосно деформированном Ge %O exported from refbase (https://db.rplab.ru/refbase/show.php?record=1698), last updated on Fri, 28 May 2021 14:01:23 -0500 %X Цель настоящей работы — исследование кинетики примесной фотопрово­димости p-Ge при сильном одноосном сжатии в широком диапазоне изменения интенсивности примесного подсвета, создающего свободные дырки, и опреде­ление сечения каскадного захвата дырок на мелкие заряженные акцепторы в условиях преобладания электрон-фононного механизма потерь энергии. %K Ge %K free holes %K capture %U http://mi.mathnet.ru/eng/phts2787 %P 540-543