@Article{_etal1991,
author="Гершензон, Е М
and Грачев, С А
and Литвак-Горская, Л Б",
title="Механизм преобразования частоты в n-InSb-смесителе",
journal="Физика и техника полупроводников",
year="1991",
volume="25",
number="11",
pages="1986--1998",
optkeywords="n-InSb mixer",
abstract="Проведено комплексное исследование n-InSb смесителя на $\lambda$=2.6{\thinspace}мм, включающее в себя исследование вольт-амперных характеристик при E=0-2{\thinspace}В/см, температурной зависимости проводимости в диапазоне T=1.6-20{\thinspace}K, высокочастотной проводимости при f=0.5-10{\thinspace}МГц и магнитосопротивления при H=0-5{\thinspace}кЭ. Показано, что в оптимальном режиме механизм преобразования частоты связан с фотоионизационными процессами при прыжковой фотопроводимости (ПФП). На основе модели ПФП рассчитан коэффициент преобразования смесителя и произведено сопоставление его с экспериментом. Показана несостоятельность модели преобразования частоты в компенсированном n-InSb (K>=0.8), основанной на разогреве электронов. Обсуждены требования к параметрам материала и режимам n-InSb смесителя миллиметрового диапазона волн.",
optnote="exported from refbase (https://db.rplab.ru/refbase/show.php?record=1753), last updated on Mon, 31 May 2021 14:52:43 -0500",
opturl="http://mi.mathnet.ru/phts4506",
language="Russian"
}