%0 Journal Article
%T Механизм преобразования частоты в n-InSb-смесителе
%A Гершензон, Е М
%A Грачев, С А
%A Литвак-Горская, Л Б
%J Физика и техника полупроводников
%D 1991
%V 25
%N 11
%G Russian
%F _etal1991
%O exported from refbase (https://db.rplab.ru/refbase/show.php?record=1753), last updated on Mon, 31 May 2021 14:52:43 -0500
%X Проведено комплексное исследование n-InSb смесителя на λ=2.6 мм, включающее в себя исследование вольт-амперных характеристик при E=0−2 В/см, температурной зависимости проводимости в диапазоне T=1.6−20 K, высокочастотной проводимости при f=0.5−10 МГц и магнитосопротивления при H=0−5 кЭ. Показано, что в оптимальном режиме механизм преобразования частоты связан с фотоионизационными процессами при прыжковой фотопроводимости (ПФП). На основе модели ПФП рассчитан коэффициент преобразования смесителя и произведено сопоставление его с экспериментом. Показана несостоятельность модели преобразования частоты в компенсированном n-InSb (K≥0.8), основанной на разогреве электронов. Обсуждены требования к параметрам материала и режимам n-InSb смесителя миллиметрового диапазона волн.
%K n-InSb mixer
%U http://mi.mathnet.ru/phts4506
%P 1986-1998