@Article{_etal1990,
author="Банная, В Ф
and Веселова, Л И
and Гершензон, Е М
and Гусинский, Э Н
and Литвак-Горская, Л Б",
title="Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла",
journal="Физика и техника полупроводников",
year="1990",
volume="24",
number="12",
pages="2145--2150",
optkeywords="Hall constant; concentration of impurities; p-Si",
abstract="На примере p-Si⟨B,{\backslash},Ga⟩ с различной степенью компенсации проведена сравнительная оценка точности определения раздельной концентрации примесей по температурной зависимости концентрации дырок p(T) в случае одной и двух легирующих примесей с энергиями ионизации, различающимися менее чем в 2 раза. Исследована функция среднеквадратичного отклонения в пространстве параметров D(Nк, N2) (Nк, N1 и N2 --- концентрации компенсирующих примесей бора и галлия соответственно, N2>>N1) в предположении, что N2, энергии B и Ga известны. Показано, что в случае двух легирующих примесей D(Nк, N1) в окрестностях минимума имеет {\guillemotleft}овражный{\guillemotright} рельеф и при некоторых соотношениях между Nк и N1 разброс искомых величин превышает порядок, причем увеличение точности измерений p(T) существенного улучшения в вычислении параметров не дает. При одной легирующей примеси точность вычисления параметров высокая.",
optnote="exported from refbase (https://db.rplab.ru/refbase/show.php?record=1754), last updated on Mon, 31 May 2021 14:53:01 -0500",
opturl="http://mi.mathnet.ru/phts4112",
language="Russian"
}