%0 Journal Article
%T Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
%A Банная, В Ф
%A Веселова, Л И
%A Гершензон, Е М
%A Гусинский, Э Н
%A Литвак-Горская, Л Б
%J Физика и техника полупроводников
%D 1990
%V 24
%N 12
%G Russian
%F _etal1990
%O exported from refbase (https://db.rplab.ru/refbase/show.php?record=1754), last updated on Mon, 31 May 2021 14:53:01 -0500
%X На примере p-Si⟨B,\,Ga⟩ с различной степенью компенсации проведена сравнительная оценка точности определения раздельной концентрации примесей по температурной зависимости концентрации дырок p(T) в случае одной и двух легирующих примесей с энергиями ионизации, различающимися менее чем в 2 раза. Исследована функция среднеквадратичного отклонения в пространстве параметров D(Nк, N2) (Nк, N1 и N2 — концентрации компенсирующих примесей бора и галлия соответственно, N2≫N1) в предположении, что N2, энергии B и Ga известны. Показано, что в случае двух легирующих примесей D(Nк, N1) в окрестностях минимума имеет «овражный» рельеф и при некоторых соотношениях между Nк и N1 разброс искомых величин превышает порядок, причем увеличение точности измерений p(T) существенного улучшения в вычислении параметров не дает. При одной легирующей примеси точность вычисления параметров высокая.
%K Hall constant
%K concentration of impurities
%K p-Si
%U http://mi.mathnet.ru/phts4112
%P 2145-2150