PT Journal
AU Банная, ��
   Веселова, ��
   Гершензон, ��
   Гусинский, ��
   Литвак-Горская, ��
TI Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
SO Физика и техника полупроводников
JI Физика и техника полупроводников
PY 1990
BP 2145
EP 2150
VL 24
IS 12
LA Russian
DE Hall constant; concentration of impurities; p-Si
AB На примере p-Si⟨B,\,Ga⟩ с различной степенью компенсации проведена сравнительная оценка точности определения раздельной концентрации примесей по температурной зависимости концентрации дырок p(T) в случае одной и двух легирующих примесей с энергиями ионизации, различающимися менее чем в 2 раза. Исследована функция среднеквадратичного отклонения в пространстве параметров D(Nк, N2) (Nк, N1 и N2 — концентрации компенсирующих примесей бора и галлия соответственно, N2≫N1) в предположении, что N2, энергии B и Ga известны. Показано, что в случае двух легирующих примесей D(Nк, N1) в окрестностях минимума имеет «овражный» рельеф и при некоторых соотношениях между Nк и N1 разброс искомых величин превышает порядок, причем увеличение точности измерений p(T) существенного улучшения в вычислении параметров не дает. При одной легирующей примеси точность вычисления параметров высокая.
ER