@Article{_etal1990,
author="Гальперин, Ю М
and Гершензон, Е М
and Дричко, И Л
and Литвак-Горская, Л Б",
title="Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах",
journal="Физика и техника полупроводников",
year="1990",
volume="24",
number="1",
pages="3--24",
optkeywords="compensated n-InSb; impurities",
abstract="Представлен обзор результатов цикла исследований природы электропроводности предельно очищенных образцов антимонида индия n-типа. Рассмотрены способы определения концентрации доноров и степени компенсации в этом материале, обсуждается роль свободных и локализованных на донорах электронов в электропроводности при гелиевых температурах. Обсуждение основано на анализе результатов исследования гальваномагнитных явлений, поглощения СВЧ излучения миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов и ультразвука. Рассмотрены способы определения характеристик материала на основе комплекса результатов, полученных с помощью указанных методов. Обсуждается также фотопроводимость по примесям в n-InSb.",
optnote="exported from refbase (https://db.rplab.ru/refbase/show.php?record=1756), last updated on Mon, 31 May 2021 14:53:39 -0500",
opturl="http://mi.mathnet.ru/phts3669",
language="Russian"
}