%0 Journal Article
%T Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах
%A Гальперин, Ю М
%A Гершензон, Е М
%A Дричко, И Л
%A Литвак-Горская, Л Б
%J Физика и техника полупроводников
%D 1990
%V 24
%N 1
%G Russian
%F _etal1990
%O exported from refbase (https://db.rplab.ru/refbase/show.php?record=1756), last updated on Mon, 31 May 2021 14:53:39 -0500
%X Представлен обзор результатов цикла исследований природы электропроводности предельно очищенных образцов антимонида индия n-типа. Рассмотрены способы определения концентрации доноров и степени компенсации в этом материале, обсуждается роль свободных и локализованных на донорах электронов в электропроводности при гелиевых температурах. Обсуждение основано на анализе результатов исследования гальваномагнитных явлений, поглощения СВЧ излучения миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов и ультразвука. Рассмотрены способы определения характеристик материала на основе комплекса результатов, полученных с помощью указанных методов. Обсуждается также фотопроводимость по примесям в n-InSb.
%K compensated n-InSb
%K impurities
%U http://mi.mathnet.ru/phts3669
%P 3-24