PT Journal
AU Гальперин, ��
   Гершензон, ��
   Дричко, ��
   Литвак-Горская, ��
TI Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах
SO Физика и техника полупроводников
JI Физика и техника полупроводников
PY 1990
BP 3
EP 24
VL 24
IS 1
LA Russian
DE compensated n-InSb; impurities
AB Представлен обзор результатов цикла исследований природы электропроводности предельно очищенных образцов антимонида индия n-типа. Рассмотрены способы определения концентрации доноров и степени компенсации в этом материале, обсуждается роль свободных и локализованных на донорах электронов в электропроводности при гелиевых температурах. Обсуждение основано на анализе результатов исследования гальваномагнитных явлений, поглощения СВЧ излучения миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов и ультразвука. Рассмотрены способы определения характеристик материала на основе комплекса результатов, полученных с помощью указанных методов. Обсуждается также фотопроводимость по примесям в n-InSb.
ER