TY  - JOUR
AU  - Гальперин, Ю М
AU  - Гершензон, Е М
AU  - Дричко, И Л
AU  - Литвак-Горская, Л Б
PY  - 1990
DA  - 1990//
TI  - Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах
T2  - Физика и техника полупроводников
JO  - Физика и техника полупроводников
SP  - 3
EP  - 24
VL  - 24
IS  - 1
KW  - compensated n-InSb
KW  - impurities
AB  - Представлен обзор результатов цикла исследований природы электропроводности предельно очищенных образцов антимонида индия n-типа. Рассмотрены способы определения концентрации доноров и степени компенсации в этом материале, обсуждается роль свободных и локализованных на донорах электронов в электропроводности при гелиевых температурах. Обсуждение основано на анализе результатов исследования гальваномагнитных явлений, поглощения СВЧ излучения миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов и ультразвука. Рассмотрены способы определения характеристик материала на основе комплекса результатов, полученных с помощью указанных методов. Обсуждается также фотопроводимость по примесям в n-InSb.
UR  - http://mi.mathnet.ru/phts3669
LA  - Russian
N1  - exported from refbase (https://db.rplab.ru/refbase/show.php?record=1756), last updated on Mon, 31 May 2021 14:53:39 -0500
ID  - _etal1990
ER  -