@Article{_etal1989,
author="Банная, В Ф
and Веселова, Л И
and Гершензон, Е М",
title="Особенности температурной зависимости холловской подвижности в легированных и некомпенсированных полупроводниках",
journal="Физика и техника полупроводников",
year="1989",
volume="23",
number="2",
pages="338--345",
optkeywords="weakly compensated Si; Ge; doped; Hall mobility",
abstract="На примере легированного и слабо компенсированного Si⟨B⟩ проведены исследования особенностей температурной зависимости подвижности при различных механизмах рассеяния. Уточнен метод определения концентрации компенсирующей примеси по $\mu$I(T). Полученные результаты обсуждаются и для Ge.",
optnote="exported from refbase (https://db.rplab.ru/refbase/show.php?record=1758), last updated on Mon, 31 May 2021 18:14:59 -0500",
opturl="http://mi.mathnet.ru/phts3241"
}