%0 Journal Article
%T Особенности температурной зависимости холловской подвижности в легированных и некомпенсированных полупроводниках
%A Банная, В Ф
%A Веселова, Л И
%A Гершензон, Е М
%J Физика и техника полупроводников
%D 1989
%V 23
%N 2
%F _etal1989
%O exported from refbase (https://db.rplab.ru/refbase/show.php?record=1758), last updated on Mon, 31 May 2021 18:14:59 -0500
%X На примере легированного и слабо компенсированного Si⟨B⟩ проведены исследования особенностей температурной зависимости подвижности при различных механизмах рассеяния. Уточнен метод определения концентрации компенсирующей примеси по μI(T). Полученные результаты обсуждаются и для Ge.
%K weakly compensated Si
%K Ge
%K doped
%K Hall mobility
%U http://mi.mathnet.ru/phts3241
%P 338-345