PT Journal
AU Банная, ��
   Веселова, ��
   Гершензон, ��
TI Особенности температурной зависимости холловской подвижности в легированных и некомпенсированных полупроводниках
SO Физика и техника полупроводников
JI Физика и техника полупроводников
PY 1989
BP 338
EP 345
VL 23
IS 2
DE weakly compensated Si; Ge; doped; Hall mobility
AB На примере легированного и слабо компенсированного Si⟨B⟩ проведены исследования особенностей температурной зависимости подвижности при различных механизмах рассеяния. Уточнен метод определения концентрации компенсирующей примеси по μI(T). Полученные результаты обсуждаются и для Ge.
ER