TY  - JOUR
AU  - Банная, В Ф
AU  - Веселова, Л И
AU  - Гершензон, Е М
PY  - 1989
DA  - 1989//
TI  - Особенности температурной зависимости холловской подвижности в легированных и некомпенсированных полупроводниках
T2  - Физика и техника полупроводников
JO  - Физика и техника полупроводников
SP  - 338
EP  - 345
VL  - 23
IS  - 2
KW  - weakly compensated Si
KW  - Ge
KW  - doped
KW  - Hall mobility
AB  - На примере легированного и слабо компенсированного Si⟨B⟩ проведены исследования особенностей температурной зависимости подвижности при различных механизмах рассеяния. Уточнен метод определения концентрации компенсирующей примеси по μI(T). Полученные результаты обсуждаются и для Ge.
UR  - http://mi.mathnet.ru/phts3241
N1  - exported from refbase (https://db.rplab.ru/refbase/show.php?record=1758), last updated on Mon, 31 May 2021 18:14:59 -0500
ID  - _etal1989
ER  -