PT Journal AU Гершензон, Литвак-Горская, Луговая, Шапиро, TI Об интерпретации отрицательного магнитосопротивления в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда в n-Ge⟨Sb⟩ SO Физика и техника полупроводников JI Физика и техника полупроводников PY 1986 BP 99 EP 103 VL 20 IS 1 DE n-Ge; Hubbard upper zone conductivity; negative magnetoresistance AB В рамках теории квантовых поправок к проводимости объяснено отрицательное магнитосопротивление в n-Ge с концентрацией доноров Nd≃2.8⋅1016÷1.1⋅1017см−3, наблюдаемое в диапазоне температур 4.2−10 K, когда основной вклад в проводимость дают электроны верхней зоны Хаббарда. Показано, что время релаксации фазы волновой функции τφ определяется временем электрон-фононного взаимодействия τeph. ER