@Article{_etal1984,
author="Гершензон, Е М
and Семенов, И Т
and Фогельсон, М С",
title="О механизме динамического сужения линии ЭПР доноров фосфора в кремнии",
journal="Физика и техника полупроводников",
year="1984",
volume="18",
number="3",
pages="421--425",
optkeywords="Si; phosphorus donors; EPR",
abstract="Температурная зависимость ширины линии ЭПР доноров Р в Si исследована в интервале концентрации ND=2.5.1017-9.1017см-3 и температур T=1.7-45{\thinspace}K на образцах с различной степенью компенсации основной примеси. Результаты согласуются с моделью обменного сужения линии при учете температурной зависимости обменного интеграла и тем самым исключают предлагавшийся ранее механизм сужения линии вследствие прыжкового движения электронов по примесным центрам.",
optnote="exported from refbase (https://db.rplab.ru/refbase/show.php?record=1761), last updated on Mon, 31 May 2021 19:05:02 -0500",
opturl="http://mi.mathnet.ru/phts1644"
}