PT Journal
AU Гершензон, ��
   Семенов, ��
   Фогельсон, ��
TI О механизме динамического сужения линии ЭПР доноров фосфора в кремнии
SO Физика и техника полупроводников
JI Физика и техника полупроводников
PY 1984
BP 421
EP 425
VL 18
IS 3
DE Si; phosphorus donors; EPR
AB Температурная зависимость ширины линии ЭПР доноров Р в Si исследована в интервале концентрации ND=2.5⋅1017−9⋅1017см−3 и температур T=1.7−45 K на образцах с различной степенью компенсации основной примеси. Результаты согласуются с моделью обменного сужения линии при учете температурной зависимости обменного интеграла и тем самым исключают предлагавшийся ранее механизм сужения линии вследствие прыжкового движения электронов по примесным центрам.
ER