@Article{_etal2010,
author="Шангина, Е Л
and Смирнов, К В
and Морозов, Д В
and Ковалюк, В В
and Гольцман, Г Н
and Веревкин, А А
and Торопов, А И",
title="Концентрационная зависимость полосы преобразования смесителей субмиллиметрового диапазона на основе наноструктур AlGaAs/GaAs",
journal="Изв. РАН Сер. Физ.",
year="2010",
volume="74",
number="1",
pages="110--112",
optkeywords="2DEG AlGaAs/GaAs heterostructures; THz heterodyne detectors; IF bandwidth",
abstract="Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением при Т = 4.2 К измерена концентрационная зависимость полосы преобразования гетеродинного детектирования гетероструктур AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом. С увеличением концентрации двумерных электронов ns = (1.6--6.6) {\^A}{\textperiodcentered} 1011см-2 ширина полосы преобразования f3dB уменьшается от 245 до 145 МГц. В исследованной области концентраций наблюдается зависимость f3dB  , обусловленная рассеянием электронов на деформационном потенциале акустических фононов и пьезоэлектрическим рассеянием.",
optnote="Duplicated as 1217",
optnote="exported from refbase (https://db.rplab.ru/refbase/show.php?record=642), last updated on Tue, 06 Jul 2021 11:38:51 -0500",
language="Russian"
}