%0 Journal Article
%T Концентрационная зависимость полосы преобразования смесителей субмиллиметрового диапазона на основе наноструктур AlGaAs/GaAs
%A Шангина, Е Л
%A Смирнов, К В
%A Морозов, Д В
%A Ковалюк, В В
%A Гольцман, Г Н
%A Веревкин, А А
%A Торопов, А И
%J Изв. РАН Сер. Физ.
%D 2010
%V 74
%N 1
%G Russian
%F _etal2010
%O Duplicated as 1217
%O exported from refbase (https://db.rplab.ru/refbase/show.php?record=642), last updated on Tue, 06 Jul 2021 11:38:51 -0500
%X Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением при Т = 4.2 К измерена концентрационная зависимость полосы преобразования гетеродинного детектирования гетероструктур AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом. С увеличением концентрации двумерных электронов ns = (1.6–6.6) · 1011см-2 ширина полосы преобразования f3dB уменьшается от 245 до 145 МГц. В исследованной области концентраций наблюдается зависимость f3dB  , обусловленная рассеянием электронов на деформационном потенциале акустических фононов и пьезоэлектрическим рассеянием.
%K 2DEG AlGaAs/GaAs heterostructures
%K THz heterodyne detectors
%K IF bandwidth
%P 110-112