PT Journal AU Шангина, Смирнов, Морозов, Ковалюк, Гольцман, Веревкин, Торопов, TI Концентрационная зависимость полосы преобразования смесителей субмиллиметрового диапазона на основе наноструктур AlGaAs/GaAs SO Изв. РАН Сер. Физ. JI Изв. РАН Сер. Физ. PY 2010 BP 110 EP 112 VL 74 IS 1 LA Russian DE 2DEG AlGaAs/GaAs heterostructures; THz heterodyne detectors; IF bandwidth AB Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением при Т = 4.2 К измерена концентрационная зависимость полосы преобразования гетеродинного детектирования гетероструктур AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом. С увеличением концентрации двумерных электронов ns = (1.6–6.6) · 1011см-2 ширина полосы преобразования f3dB уменьшается от 245 до 145 МГц. В исследованной области концентраций наблюдается зависимость f3dB , обусловленная рассеянием электронов на деформационном потенциале акустических фононов и пьезоэлектрическим рассеянием. ER