TY  - JOUR
AU  - Шангина, Е Л
AU  - Смирнов, К В
AU  - Морозов, Д В
AU  - Ковалюк, В В
AU  - Гольцман, Г Н
AU  - Веревкин, А А
AU  - Торопов, А И
PY  - 2010
DA  - 2010//
TI  - Концентрационная зависимость полосы преобразования смесителей субмиллиметрового диапазона на основе наноструктур AlGaAs/GaAs
T2  - Изв. РАН Сер. Физ.
JO  - Изв. РАН Сер. Физ.
SP  - 110
EP  - 112
VL  - 74
IS  - 1
KW  - 2DEG AlGaAs/GaAs heterostructures
KW  - THz heterodyne detectors
KW  - IF bandwidth
AB  - Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением при Т = 4.2 К измерена концентрационная зависимость полосы преобразования гетеродинного детектирования гетероструктур AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом. С увеличением концентрации двумерных электронов ns = (1.6–6.6) · 1011см-2 ширина полосы преобразования f3dB уменьшается от 245 до 145 МГц. В исследованной области концентраций наблюдается зависимость f3dB  , обусловленная рассеянием электронов на деформационном потенциале акустических фононов и пьезоэлектрическим рассеянием.
LA  - Russian
N1  - Duplicated as 1217
ID  - _etal2010
ER  -