@Article{_etal2010,
author="Шангина, Е Л
and Смирнов, К В
and Морозов, Д В
and Ковалюк, В В
and Гольцман, Г Н
and Веревкин, А А
and Торопов, А И",
title="Полоса и потери преобразования полупроводникового смесителя с фононным каналом охлаждения двумерных электронов",
journal="Физика и техника полупроводников",
year="2010",
volume="44",
number="11",
pages="1475--1478",
optkeywords="2DEG; AlGaAs/GaAs heterostructures mixers",
abstract="Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением измерены температурная и концентрационная зависимости полосы преобразования смесителей терагерцового диапазона AlGaAs/GaAs на разогреве двумерных электронов с фононным каналом их охлаждения. Полоса преобразования на уровне 3 дБ (f3 dB) при 4.2 K при изменении концентрации ns варьируется в пределах 150-250 МГц в соответствии со степенным законом f3 dB propto ns-0.5, что соответствует доминирующему механизму рассеяния на пьезоэлектрических фононах. Минимальное значение коэффициента потерь преобразования полупроводникового смесителя достигается в структурах с высокой подвижностью носителей mu>3{\textperiodcentered}105 см2/В{\textperiodcentered}с при 4.2 K.",
optnote="Duplicated as 1216",
optnote="exported from refbase (https://db.rplab.ru/refbase/show.php?record=702), last updated on Tue, 06 Jul 2021 11:54:03 -0500",
opturl="https://journals.ioffe.ru/articles/7268"
}