%0 Journal Article
%T Полоса и потери преобразования полупроводникового смесителя с фононным каналом охлаждения двумерных электронов
%A Шангина, Е Л
%A Смирнов, К В
%A Морозов, Д В
%A Ковалюк, В В
%A Гольцман, Г Н
%A Веревкин, А А
%A Торопов, А И
%J Физика и техника полупроводников
%D 2010
%V 44
%N 11
%F _etal2010
%O Duplicated as 1216
%O exported from refbase (https://db.rplab.ru/refbase/show.php?record=702), last updated on Tue, 06 Jul 2021 11:54:03 -0500
%X Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением измерены температурная и концентрационная зависимости полосы преобразования смесителей терагерцового диапазона AlGaAs/GaAs на разогреве двумерных электронов с фононным каналом их охлаждения. Полоса преобразования на уровне 3 дБ (f3 dB) при 4.2 K при изменении концентрации ns варьируется в пределах 150-250 МГц в соответствии со степенным законом f3 dB propto ns-0.5, что соответствует доминирующему механизму рассеяния на пьезоэлектрических фононах. Минимальное значение коэффициента потерь преобразования полупроводникового смесителя достигается в структурах с высокой подвижностью носителей mu>3·105 см2/В·с при 4.2 K.
%K 2DEG
%K AlGaAs/GaAs heterostructures mixers
%U https://journals.ioffe.ru/articles/7268
%P 1475-1478