PT Journal AU Шангина, Смирнов, Морозов, Ковалюк, Гольцман, Веревкин, Торопов, TI Полоса и потери преобразования полупроводникового смесителя с фононным каналом охлаждения двумерных электронов SO Физика и техника полупроводников PY 2010 BP 1475 EP 1478 VL 44 IS 11 DE 2DEG; AlGaAs/GaAs heterostructures mixers AB Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением измерены температурная и концентрационная зависимости полосы преобразования смесителей терагерцового диапазона AlGaAs/GaAs на разогреве двумерных электронов с фононным каналом их охлаждения. Полоса преобразования на уровне 3 дБ (f3 dB) при 4.2 K при изменении концентрации ns варьируется в пределах 150-250 МГц в соответствии со степенным законом f3 dB propto ns-0.5, что соответствует доминирующему механизму рассеяния на пьезоэлектрических фононах. Минимальное значение коэффициента потерь преобразования полупроводникового смесителя достигается в структурах с высокой подвижностью носителей mu>3·105 см2/В·с при 4.2 K. ER