TY  - JOUR
AU  - Шангина, Е Л
AU  - Смирнов, К В
AU  - Морозов, Д В
AU  - Ковалюк, В В
AU  - Гольцман, Г Н
AU  - Веревкин, А А
AU  - Торопов, А И
PY  - 2010
DA  - 2010//
TI  - Полоса и потери преобразования полупроводникового смесителя с фононным каналом охлаждения двумерных электронов
JO  - Физика и техника полупроводников
SP  - 1475
EP  - 1478
VL  - 44
IS  - 11
KW  - 2DEG
KW  - AlGaAs/GaAs heterostructures mixers
AB  - Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением измерены температурная и концентрационная зависимости полосы преобразования смесителей терагерцового диапазона AlGaAs/GaAs на разогреве двумерных электронов с фононным каналом их охлаждения. Полоса преобразования на уровне 3 дБ (f3 dB) при 4.2 K при изменении концентрации ns варьируется в пределах 150-250 МГц в соответствии со степенным законом f3 dB propto ns-0.5, что соответствует доминирующему механизму рассеяния на пьезоэлектрических фононах. Минимальное значение коэффициента потерь преобразования полупроводникового смесителя достигается в структурах с высокой подвижностью носителей mu>3·105 см2/В·с при 4.2 K.
UR  - https://journals.ioffe.ru/articles/7268
N1  - Duplicated as 1216
ID  - _etal2010
ER  -