Home << 1 2 >>
List View
 | 
Citations
 | 
Details
   web
Author (up) Title Year Publication Volume Pages
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. Особенности температурной зависимости холловской подвижности в легированных и некомпенсированных полупроводниках 1989 Физика и техника полупроводников 23 338-345
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. Об одном способе определения концентрации глубоких примесей в германии 1983 Физика и техника полупроводников 17 1896-1898
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М.; Гусинский, Э. Н.; Литвак-Горская, Л. Б. Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла 1990 Физика и техника полупроводников 24 2145-2150
Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge 1990 Физика и техника полупроводников 24 1881-1883
Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge 1989 Физика и техника полупроводников 23 1356-1361
Гальперин, Ю. М.; Гершензон, Е. М.; Дричко, И. Л.; Литвак-Горская, Л. Б. Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах 1990 Физика и техника полупроводников 24 3-24
Гершензон, Е. М. Воздействие электромагнитного излучения на сверхпроводящую плёнку ниобия в резистивном состоянии 1982 Тезисы докладов 22 Всесоюзной конференции по физике низких температур 79-80
Гершензон, Е. М.; Гершензон, М. Е.; Гольцман, Г. Н.; Люлькин, А. М.; Семенов, А. Д.; Сергеев, А. В. О предельных характеристиках быстродействующих серхпроводниковых болометров 1989 Журнал технической физики 59 111-120
Гершензон, Е. М.; Гершензон, М. Е.; Гольцман, Г. Н.; Семенов, А. Д.; Сергеев, А. В. Неселективное воздействие электромагнитного излучения на сверхпроводящую пленку в резистивном состоянии 1982 Письма в ЖЭТФ 36 241-244
Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Елантьев, А. И.; Кагане, М. Л.; Мултановский, В. В.; Птицина, Н. Г. Применение субмиллиметровой ЛОВ спектроскопии для определения химической природы и концентрации примесей в чистых полупроводниках 1983 Физика и техника полупроводников 17 1430-1437
Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Елантьев, А. И.; Карасик, Б. С.; Потоскуев, С. Э. Разогрев электронов в резистивном состоянии сверхпроводника электромагнитным излучением значительной интенсивности 1988 Физика низких температур 14 753-763
Гершензон, Е. М.; Грачев, С. А.; Литвак-Горская, Л. Б. Механизм преобразования частоты в n-InSb-смесителе 1991 Физика и техника полупроводников 25 1986-1998
Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Луговая, Г. Я.; Шапиро, Е. З. Об интерпретации отрицательного магнитосопротивления в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда в n-Ge⟨Sb⟩ 1986 Физика и техника полупроводников 20 99-103
Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Рабинович, Р. И. Отрицательное магнитосопротивление в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда 1983 Физика и техника полупроводников 17 1873-1876
Гершензон, Е. М.; Мельников, А. П.; Рабинович, Р. И.; Смирнова, В. Б. О возможности создания инверсной функции распределения свободных носителей в полупроводниках при захвате на мелкие нейтральные примеси 1983 Физика и техника полупроводников 17 499-501