Author |
Title |
Year |
Publication |
Volume |
Pages |
Вахтомин, Ю. Б.; Антипов, С. В.; Масленников, С. Н.; Смирнов, К. В.; Поляков, С. Л.; Чжан, В.; Свечников, С. И.; Каурова, Н. С.; Гришина, Е. В.; Воронов, Б. М.; Гольцман, Г. Н. |
Квазиоптические смесители терагерцового диапазона на основе эффекта разогрева электронов в тонких пленках NbN |
2006 |
Proc. 16th Int. Crimean Microwave and Telecommunication Technology |
2 |
688-689 |
Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. |
Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge |
1990 |
Физика и техника полупроводников |
24 |
1881-1883 |
Воеводин, Е. И.; Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г. |
Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge |
1989 |
Физика и техника полупроводников |
23 |
1356-1361 |
Гершензон, Е. М.; Гершензон, М. Е.; Гольцман, Г. Н.; Люлькин, А. М.; Семенов, А. Д.; Сергеев, А. В. |
О предельных характеристиках быстродействующих серхпроводниковых болометров |
1989 |
Журнал технической физики |
59 |
111-120 |
Гершензон, Е. М.; Гершензон, М. Е.; Гольцман, Г. Н.; Семенов, А. Д.; Сергеев, А. В. |
Неселективное воздействие электромагнитного излучения на сверхпроводящую пленку в резистивном состоянии |
1982 |
Письма в ЖЭТФ |
36 |
241-244 |
Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Елантьев, А. И.; Кагане, М. Л.; Мултановский, В. В.; Птицина, Н. Г. |
Применение субмиллиметровой ЛОВ спектроскопии для определения химической природы и концентрации примесей в чистых полупроводниках |
1983 |
Физика и техника полупроводников |
17 |
1430-1437 |
Гершензон, Е. М.; Гольцман, Г. Н.; Елантьев, А. И.; Карасик, Б. С.; Потоскуев, С. Э. |
Разогрев электронов в резистивном состоянии сверхпроводника электромагнитным излучением значительной интенсивности |
1988 |
Физика низких температур |
14 |
753-763 |
Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Гершензон, Е. М.; Птицина, Н. Г.; Смирнов, К. В.; Чулкова, Г. М. |
Исследования процессов неупругой релаксации и примесная спектроскопия-релаксометрия в двумерном электронном газе в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами |
1995 |
|
|
|
Гольцман, Г. Н.; Птицина, Н. Г.; Ригер, Е. Р. |
Оже-рекомбинация свободных носителей на мелких донорах в германии |
1984 |
Физика и техника полупроводников |
18 |
1684-1686 |
Гольцман, Г. Н.; Разумовская, И. В.; Окунев, О. В; Чулкова, Г. М.; Корнеев, А. А.; Финкель, М. И.; Масленников, С. Н.; Семенов, А. В.; Александров, В. Н. |
Сборник программ учебных дисциплин профессионального цикла подготовки магистров и бакалавров по направлению «Физика» |
2011 |
Прометей |
|
67 |
Гольцман, Г. Н.; Смирнов, К. В. |
По итогам проектов российского фонда фундаментальных исследований. Проект РФФИ # 98-02-16897 Электрон-фононное взаимодействие в двумерном электронном газе полупроводниковых гетероструктур при низких температурах |
2001 |
Письма в ЖЭТФ |
74 |
532-538 |
Гольцман, Г.Н.; Лудков, Д.Н. |
Сверхпроводниковые смесители на горячих электронах терагерцового диапазона и их применение в радиоастрономии |
2003 |
Изв. высших учебных заведений. Радиофизика |
46 |
|
Елезов, М. С.; Корнеев, А. А; Дивочий, А. В.; Гольцман, Г. Н. |
Сверхпроводящие однофотонные детекторы с разрешением числа фотонов |
2009 |
Науч. сессия МИФИ |
|
47-58 |
Елезов, М. С.; Тархов, М. А.; Дивочий, А. В.; Вахтомин, Ю. Б.; Гольцман, Г. Н. |
Система регистрации одиночных фотонов в видимом и ближнем инфракрасном диапазонах |
2010 |
Науч. сессия НИЯУ МИФИ |
|
94-95 |
Елезов, М. С.; Щербатенко, М. Л.; Сыч, Д. В.; Гольцман, Г. Н. |
Практические особенности работы оптоволоконного квантового приемника Кеннеди |
2019 |
Proc. IWQO |
|
303-305 |