2019 |
|
|
Елезов МС, Щербатенко МЛ, Сыч ДВ, Гольцман ГН. Практические особенности работы оптоволоконного квантового приемника Кеннеди. In: Proc. IWQO.; 2019. p. 303–5.
Abstract: Мы рассматриваем практические особенности работы квантового приемника на основе схемы Кеннеди, собранного из стандартных оптоволоконных элементов и сверхпроводникового детектора одиночных фотонов. Приемник разработан для различения двух фазовомодулированных когерентных состояний света на длине волны 1,5 микрона в непрерывном режиме с частотой модуляции 200 КГц и уровнем ошибок различения примерно в два раза ниже стандартного квантового предела.
|
|
|
|
Елманов ИА, Елманова АВ, Голиков АД, Комракова СА, Каурова НС, Ковалюк ВВ, et al. Способ определения параметров резистов для электронной литографии фотонных интегральных схем на платформе нитрида кремния. In: Proc. IWQO.; 2019. p. 306–8.
Abstract: В работе были измерены толщины резистов ZEP 520A и ma-N 2400 для электронно-лучевой литографии, неразрушающим способом, а также подобран рецепт, обеспечивающий высокое отношение скорости травления нитрида кремния по сравнению с резистом. Работа имеет практическое значение для электронной литографии интегрально-оптических устройств и устройств нанофотоники на основе нитрида кремния.
|
|
|
|
Елманова А, Елманов И, Комракова С, Голиков А, Джавадзадэ Д, Воробьёв В, et al. Способ интеграции наноалмазов с нанофотонными устройствами из нитрида кремния. In: Proc. IWQO.; 2019. p. 309–11.
Abstract: В работе были разработаны оптические структуры из нитрида кремния для дальнейшего размещения на них наноалмазов с NV-центрами, опробованы различные методики нанесения раствора наноалмазов и выбрана оптимальная. Работа имеет практическое значение в области нанофотоники и создании квантово-оптических устройств с однофотонными источниками.
|
|
|
|
Проходцов АИ, Голиков АД, Ан ПП, Ковалюк ВВ, Гольцман ГН. Влияние покрытия из оксида кремния на эффективность фокусирующего решеточного элемента связи из нитрида кремния. In: Proc. IWQO.; 2019. p. 201–3.
Abstract: В работе экспериментально изучена зависимость эффективности фокусирующего решеточного элемента связи от периода и фактора заполнения до и после напыления верхнего слоя из оксида кремния. Полученные данные имеют практическое значение при создании перестраиваемых интегрально-оптических устройств на нитриде кремния.
|
|
2018 |
|
|
Симонов НО, Флоря ИН, Корнеева ЮП, Корнеев АА, Гольцман ГН. Однофотонный отклик в тонких сверхпроводящих MoNx пленках. In: Сборн. науч. труд. VII международн. конф. по фотонике и информац. опт.; 2018. p. 408–9.
Abstract: Продемонстрирован однофотонный отклик, при токе близком к критическому, в MoNx сверхпроводящих полосках шириной 70-104 нм. MoNx детекторы, имеющие коэффициент диффузии D≈0.32 см2/с и время электрон-фононного взаимодействия ηe-ph≈300 пс, достигают квантовой эффективности QE≈20% на длине волны λ=1550 нм. Возможность реализации однофотонного детектора в данном материале, подтверждает существующую теорию вихревого механизма возникновения фотоотклика в узких сверхпроводящих полосках.
|
|
2015 |
|
|
Корнеев АА, Окунев ОВ, Чулкова ГМ, Смирнов КВ, Милостная ИИ, Минаева ОВ, et al. Спонтанные и фотоиндуцированные резистивные состояния в узких сверхпроводящих NbN полосках. МПГУ; 2015.
Abstract: Монография посвящена актуальной проблеме современной фотоники: разработке высокочувствительных и быстродействующих сверхпроводниковых однофотонных детекторов на основе тонкой пленки NbN. В работе исследуются неравновесные процессы, протекающие в тонкой сверхпроводящей пленке после поглощения инфракрасного фотона и приводящие к возникновению резистивного состояния. На этих процессах основан механизм фотоотклика исследуемого в работе однофотонного детектора. В частности, исследуются зависимости квантовой эффективности и скорости темнового счета от геометрических параметров детектора: толщины пленки, ширины полоски, а также от величины транспортного тока детектора. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих исследователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники и радиофизики.
|
|
2014 |
|
|
Кардакова АИ, Финкель МИ, Морозов ДВ, Ковалюк ВВ, Ан ПП, Гольцман ГН. Время электрон-фононного взаимодействия в сверхпроводниковых пленках нитрида титана. In: Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Vol 1.; 2014. p. 47–8.
Abstract: Определены времена электрон-фононного взаимодействия в тонких сверхпроводниковых пленках нитрида титана. Измеренные значения τ_eph находятся в диапазоне от 5.5 нс до 88 нс при температурах 4,2 К и 1,7 К, соответственно, и соответствуют температурной зависимости Т^-3.
|
|
|
|
Корнеева ЮП, Михайлов ММ, Манова НН, Дивочий АА, Корнеев АА, Вахтомин ЮБ, et al. Сверхпроводниковый однофотонный детектор на основе аморфных пленок MoSi. In: Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Vol 1.; 2014. p. 53–4.
Abstract: Нами были изготовлены и исследованы однофотонные детекторы на основе сверхпроводящих пленок Mo x Si 1-x двух различных стехиометрий: Mo 3 Si и Mo 4 Si. При температуре 1.7 К лучшие детекторы площадью 7 мкм*7 мкм на основе этих пленок продемонстрировали системную квантовую эффективность 18% при скорости темнового счета 10 с -1 на длине волны 1.2 мкм с использованием неполяризованного источника, длительность импульса – 6 нс, джиттер – 120 пс.
|
|
|
|
Селиверстов СВ, Финкель МИ, Рябчун СА, Воронов БМ, Каурова НС, Селезнев ВА, et al. Терагерцевый сверхпроводниковый детектор с аттоджоулевым энергетическим разрешением и постоянной времени 25 пс. In: Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Vol 1.; 2014. p. 91–2.
Abstract: Представлены результаты измерения энергетического разрешения терагерцевого сверхпроводникового NbN-детектора на эффектеэлектронного разогрева, работающего при температуре около 10 К. Использование инновационной in situ технологии производства привело к существенному улучшению чувствительности детектора. Увеличение быстродействия детектора было достигнуто за счет реализации дополнительного диффузионного канала охла-ждения электронной подсистемы. Измеренное значение эквивалентной мощности шума на частоте 2.5 ТГц составило 2.0×10-13Вт•Гц-0.5, постоянной времени 25 пс. Соответствующее расчетное значение энергетического разрешения составило 2.5 аДж.
|
|
2012 |
|
|
Корнеева ЮП, Трифонов АВ, Вахтомин ЮБ, Смирнов КВ, Корнеев АА, Рябчун СА, et al. Расчет согласующего оптического резонатора для сверхпроводникового нанополоскового детектора. Преподаватель ХХI век. 2012;(3):225–7.
Abstract: В статье произведен расчет резонатора, предназначенного для согласования сверхпроводникового нанополоскового однофотонного детектора с оптическим сигналом. Показано, что для детектора, выполненного из пленки с типичным сопротивлением квадрата 500 Ом и коэффициентом заполнения 0.5 коэффициент согласования с излучением, поляризованным параллельно полоскам детектора, достигает величины около 60%.
|
|
