RpLab Home

Bibliography database of Radiophysics Laboratory (RpLab)

Home |  Show All |  Simple Search |  Advanced Search
Quick Search:
1-10 of 25 records found matching your query:
toggle visibility Search & Display Options
Select All    Deselect All << 1 2 3 >>
List View
 | 
Citations
 | 
Details
   print
  Records Links
Author Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И. url  openurl
  Title Полоса и потери преобразования полупроводникового смесителя с фононным каналом охлаждения двумерных электронов Type Journal Article
  Year 2010 Publication Физика и техника полупроводников Abbreviated Journal (up)  
  Volume 44 Issue 11 Pages 1475-1478  
  Keywords 2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures mixers  
  Abstract Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением измерены температурная и концентрационная зависимости полосы преобразования смесителей терагерцового диапазона AlGaAs/GaAs на разогреве двумерных электронов с фононным каналом их охлаждения. Полоса преобразования на уровне 3 дБ (f3 dB) при 4.2 K при изменении концентрации ns варьируется в пределах 150-250 МГц в соответствии со степенным законом f3 dB propto ns-0.5, что соответствует доминирующему механизму рассеяния на пьезоэлектрических фононах. Минимальное значение коэффициента потерь преобразования полупроводникового смесителя достигается в структурах с высокой подвижностью носителей mu>3·105 см2/В·с при 4.2 K.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Duplicated as 1216 Approved no  
  Call Number RPLAB @ gujma @ Serial 702  
Permanent link to this record
 
 
Author Shaha, Jagdeep; Pinczukb, A.; Gossardb, A. C.; Wiegmannb, W. openurl 
  Title Hot carrier energy loss rates in GaAs quantum wells: large differences between electrons and holes Type Journal Article
  Year 1985 Publication Phys. B+C Abbreviated Journal (up)  
  Volume 134 Issue 1-3 Pages 174-178  
  Keywords 2DEG, GaAs/AlGaAs, heat flow, electron-phonon, hole-phonon, carrier-phonon, interactions  
  Abstract The first direct and separate determination of the hot electron and hot hole energy loss rates to the lattice shows unexpectedly large differences between electrons and holes in GaAs quantum wells. This large difference results from an anomalously low electron energy loss rate, which we attribute to the presence of non-equilibrium optical phonon rather than the effects of reduced dimensionality or dynamic screening. A model calculation of hot phonon effects is presented.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 634  
Permanent link to this record
 
 
Author Uchiki, Hisao; Kobayashi, Takayoshi; Sakaki, Hiroyuki openurl 
  Title Photoluminescence and energy‐loss rates in GaAs quantum wells under high‐density excitation Type Journal Article
  Year 1987 Publication J. Appl. Phys. Abbreviated Journal (up)  
  Volume 62 Issue 3 Pages 1010-1016  
  Keywords 2DEG, GaAs/AlGaAs, heat flow, electron-phonon, hole-phonon, carrier-phonon, interactions  
  Abstract The time‐resolved luminescence spectra from excited conduction subbands in three samples of multi‐quantum‐well GaAs/AlxGa1-xAs (x=0.3 and 1) semiconductors with several well widths and barrier heights were obtained under high‐density excitations by a 30‐ps pulsed laser at 532 nm, which generated electron–hole pairs to the concentration of 1010–1013/cm2 per well per pulse at 77 K. The temperature and the Fermi energy of electron were determined by fitting best the constructed time‐resolved spectrum to the observed, and the time‐dependent electron energy was obtained by using these parameters. The energy‐loss rates of hot electrons are at least twice smaller than the calculated ones induced by the electron‐polar phonon scattering, including the screening effect due to the high carrier density.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 635  
Permanent link to this record
 
 
Author Смирнов, Константин Владимирович; Чулкова, Галина Меркурьевна; Вахтомин, Юрий Борисович; Корнеев, Александр Александрович; Окунев, Олег Валерьевич; Дивочий, Александр Валерьевич; Семенов, Александр Владимирович; Гольцман, Григорий Наумович url  isbn
openurl 
  Title Особенности разогрева и релаксации горячих электронов О-754 в тонкопленочных cверхпроводниковых наноструктурах и 2D полупроводниковых гетероструктурах при поглощении излучения инфракрасного и терагерцового диапазонов Type Book Whole
  Year 2014 Publication Abbreviated Journal (up)  
  Volume Issue Pages  
  Keywords 2DEG  
  Abstract В монографии рассмотрены основные особенности эффекта электронного разогрева в тонких сверхпроводниковых пленках и полупроводниковых гетеропереходах, возникающего при поглощении носителями заряда излучений терагерцового и инфракрасного диапазонов.

Значительная часть монографии посвящена представлению современных достижений при использовании указанного эффекта для создания приемных устройств с рекордными характеристиками: терагерцовых гетеродинных и болометрических приемников на основе сверхпроводниковых и полупроводниковых структур; сверхпроводниковых приемников одиночных ИК фотонов. В работе также подробно рассмотрены основы современной сверхпроводниковой тонкопленочной технологии.

Монография может быть полезна студентам старших курсов, аспирантам и начинающим исследователям, работающим в области физики твердого тела, оптики, радиофизики.		  
  Address Москва  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher МПГУ Place of Publication Editor  
  Language Russian Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN 978-5-4263-0145-0 Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes 240 страниц Approved no  
  Call Number Serial 1814  
Permanent link to this record
 
 
Author Чулкова, Г. М.; Корнеев, А. А.; Смирнов, К. В.; Окунев, О. В. url  isbn
openurl 
  Title Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ик излучения на их основе Type Book Whole
  Year 2012 Publication Abbreviated Journal (up)  
  Volume Issue Pages  
  Keywords 2DEG, AlGaAs/GaAs, NbN detectors  
  Abstract Монография посвящена обзору исследований влияния эффектов электронного беспорядка на электронное взаимодействие в металлах, сверхпроводниках, полупроводниках, а также в различных низкоразмерных структурах. Актуальность поднятых в монографии вопросов определяется интенсивным развитием нанотехнологий, созданием новых наноструктурированных материалов и уникальных наноэлементов для электроники и фотоники. Упругое электронное рассеяние на границах наноструктур качественно меняет взаимодействие электронов с фонолами, что, безусловно, должно учитываться при проектировании соответствующей элементной базы. Прикладная часть работы посвящена контролируемой модификации электронных процессов для оптимизации новых наносенсоров на основе электронного разогрева в сверхпроводниковых и полупроводниковых структурах. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих следователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники.  
  Address Москва  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Прометей, МПГУ Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN 978-5-4263-0118-4 Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes УДК: 537.311 Approved no  
  Call Number Serial 1818  
Permanent link to this record
 
 
Author Смирнов, Константин Владимирович url  openurl
  Title Энергетическая релаксация электронов в 2D-канале гетеропереходов GAAS/ALGAAS и транспортные процессы в структурах полупроводник-сверхпроводник на их основе Type Manuscript
  Year 2000 Publication М. МПГУ Abbreviated Journal (up)  
  Volume Issue Pages  
  Keywords 2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures, NbN films  
  Abstract Диссертация посвящена изучению электрон-фононного взаимодействия в двумерном электронном газе, образующемся на границе раздела полупроводников AlGaAs и GaAs, а также созданию на основе гетероперехода GaAs/AlGaAs и сверхпроводника NbN гибридных структур сверхпроводник-полупроводник-сверхпроводник и изучению их электрофизических свойств.  
  Address Москва, МПГУ  
  Corporate Author Thesis Ph.D. thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1830  
Permanent link to this record
 
 
Author Смирнов, К. В. url  openurl
  Title AlGaAs/GaAs смеситель на эффекте разогрева двумерных электронов для тепловизора субмиллиметрового диапазона Type Abstract
  Year 2003 Publication Тезисы докладов VI Российской конференции по физике полупроводников Abbreviated Journal (up)  
  Volume Issue Pages 181  
  Keywords 2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures, mixer  
  Abstract  
  Address ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Санк-Петербург  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference VI Российской конференции по физике полупроводников (27-31 октября)  
  Notes Unconfirmed; Сама конференция, однако, была -- её упоминают: [http://www.nsc.ru/HBC/article.phtml?nid=271&id=17], [https://www.isp.nsc.ru/institut/nauchnye-podrazdeleniya/lab-20/publikatsii/2003], [http://www.ioffe.ru/sem_tech/sem%5Fteh%5Fmovpe%5Fpublications%5Fru.htm#R2003], [https://istina.ips.ac.ru/collections/828771/] Approved no  
  Call Number Serial 1837  
Permanent link to this record
 
 
Author An, Zhenghua; Chen, Jeng-Chung; Ueda, T.; Komiyama, S.; Hirakawa, K. openurl 
  Title Infrared phototransistor using capacitively coupled two-dimensional electron gas layers Type Journal Article
  Year 2005 Publication Applied Physics Letters Abbreviated Journal (up) Appl. Phys. Lett.  
  Volume 86 Issue Pages 172106 - 172106-3  
  Keywords 2DEG  
  Abstract  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number RPLAB @ akorneev @ Serial 603  
Permanent link to this record
 
 
Author Cao, Q.; Yoon, S. F.; Tong, C. Z.; Ngo, C. Y.; Liu, C. Y.; Wang, R.; Zhao, H. X. openurl 
  Title Two-state competition in 1.3 μm multilayer InAs/InGaAs quantum dot lasers Type Journal Article
  Year 2009 Publication Applied Physics Letters Abbreviated Journal (up) Appl. Phys. Lett.  
  Volume 95 Issue 19 Pages 3  
  Keywords 2DEG  
  Abstract The competition of ground state (GS) and excited state (ES) is investigated from the as-grown and thermally annealed 1.3 μm ten-layer p-doped InAs/GaAs quantum dot (QD) lasers. The modal gain competition between GS and ES are measured and analyzed around the ES threshold characteristics. Our results show that two-state competition is more significant in devices with short cavity length operating at high temperature. By comparing the as-grown and annealed devices, we demonstrate enhanced GS and suppressed ES lasing from the QD laser annealed at 600 °C for 15 s.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number RPLAB @ gujma @ Serial 673  
Permanent link to this record
 
 
Author Shangina, E. L.; Smirnov, K. V.; Morozov, D. V.; Kovalyuk, V. V.; Gol’tsman, G. N.; Verevkin, A. A.; Toropov, A. I. url  doi
openurl 
  Title Concentration dependence of the intermediate frequency bandwidth of submillimeter heterodyne AlGaAs/GaAs nanostructures Type Journal Article
  Year 2010 Publication Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. Abbreviated Journal (up) Bull. Russ. Acad. Sci. Phys.  
  Volume 74 Issue 1 Pages 100-102  
  Keywords 2DEG AlGaAs/GaAs heterostructures, THz heterodyne detectors, IF bandwidth  
  Abstract The concentration dependence of the intermediate frequency bandwidth of heterodyne AlGaAs/GaAs detectors with 2D electron gas is measured using submillimeter spectroscopy with high time resolution at T= 4.2 K. The intermediate frequency bandwidth f3dBfalls from 245 to 145 MHz with increasing concentration of 2D electrons n s = (1.6-6.6) × 10[su11] cm-2. The dependence f3dB ≈ n s – 0.04±is observed in the studied concentration range; this dependence is determined by electron scattering by the deformation potential of acoustic phonons and piezoelectric scattering.  
  Address  
  Corporate Author Thesis  
  Publisher Place of Publication Editor  
  Language Summary Language Original Title  
  Series Editor Series Title Abbreviated Series Title  
  Series Volume Series Issue Edition  
  ISSN 1062-8738 ISBN Medium  
  Area Expedition Conference  
  Notes Approved no  
  Call Number Serial 1217  
Permanent link to this record
Select All    Deselect All << 1 2 3 >>
List View
 | 
Citations
 | 
Details
   print
toggle visibility
Save Citations:
Export Records:
Home CQL Search  |  Library Search  |  Show Record  |  Extract Citations Help