|
Author |
Title |
Year |
Publication |
Volume |
Pages |
Links |
|
Gershenzon, E. M.; Gol'tsman, G. N.; Mel'nikov, A. P. |
Binding energy of a carrier with a neutral impurity atom in germanium and in silicon |
1971 |
JETP Lett. |
14 |
185-186 |
|
|
Gershenzon, E. M.; Gol'tsman, G. N. |
Transitions of electrons between excited states of donors in germanium |
1971 |
JETP Lett. |
14 |
63-65 |
|
|
Gershenzon, E. M.; Goltsman, G.; Orlova, S.; Ptitsina, N.; Gurvich, Y. |
Germanium hot-electron narrow-band detector |
1971 |
Sov. Radio Engineering And Electronic Physics |
16 |
1346 |
|
|
Gershenzon, E. M.; Gol'tsman, G. N.; Emtsev, V. V.; Mashovets, T. V.; Ptitsyna, N. G.; Ryvkin, S. M. |
Role of impurities of groups III and V in the formation of defects following γ irradiation of germanium |
1971 |
JETP Lett. |
14 |
241 |
|
|
Гершензон, Е. М.; Семенов, И. Т.; Фогельсон, М. С. |
Спин-решеточная релаксация доноров фосфора в кремнии при одноосной деформации образца |
1985 |
Физика и техника полупроводников |
19 |
1696-1698 |
|
|
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. |
Об одном способе определения концентрации глубоких примесей в германии |
1983 |
Физика и техника полупроводников |
17 |
1896-1898 |
|
|
Гершензон, Е. М.; Литвак-Горская, Л. Б.; Рабинович, Р. И. |
Отрицательное магнитосопротивление в случае проводимости по верхней зоне Хаббарда |
1983 |
Физика и техника полупроводников |
17 |
1873-1876 |
|
|
Гершензон, Е. М.; Мельников, А. П.; Рабинович, Р. И.; Смирнова, В. Б. |
О возможности создания инверсной функции распределения свободных носителей в полупроводниках при захвате на мелкие нейтральные примеси |
1983 |
Физика и техника полупроводников |
17 |
499-501 |
|
|
Gershenzon, E. M.; Gurvich, Y. A.; Orlova, S. L.; Ptitsina, N. G. |
Scattering of electrons by charged impurities in Ge under cyclotron resonance conditions |
1976 |
Presumably: Sov. Phys. Semicond. | Физика и техника полупроводников |
10 |
1379-1383 |
|
|
Gershenzon, E. M.; Orlov, L. A.; Ptitsina, N. G. |
Absorption spectra in electron transitions between excited states of impurities in germanium |
1975 |
JETP Lett. |
22 |
95-97 |
|