Records |
Author |
Гершензон, Е. М.; Грачев, С. А.; Литвак-Горская, Л. Б. |
Title |
Механизм преобразования частоты в n-InSb-смесителе |
Type |
Journal Article |
Year |
1991 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
Volume |
25 |
Issue |
11 |
Pages |
1986-1998 |
Keywords |
n-InSb mixer |
Abstract |
Проведено комплексное исследование n-InSb смесителя на λ=2.6 мм, включающее в себя исследование вольт-амперных характеристик при E=0−2 В/см, температурной зависимости проводимости в диапазоне T=1.6−20 K, высокочастотной проводимости при f=0.5−10 МГц и магнитосопротивления при H=0−5 кЭ. Показано, что в оптимальном режиме механизм преобразования частоты связан с фотоионизационными процессами при прыжковой фотопроводимости (ПФП). На основе модели ПФП рассчитан коэффициент преобразования смесителя и произведено сопоставление его с экспериментом. Показана несостоятельность модели преобразования частоты в компенсированном n-InSb (K≥0.8), основанной на разогреве электронов. Обсуждены требования к параметрам материала и режимам n-InSb смесителя миллиметрового диапазона волн. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1753 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Расулова, Г.К.; Брунков, П.Н.; Пентин, И.В.; Ковалюк, В.В.; Горшков, К.Н.; Казаков, А.Ю.; Иванов, С.Ю.; Егоров, А.Ю.; Саксеев, Д.А.; Конников, С.Г. |
Title |
Взаимная синхронизация двух связанных генераторов автоколебаний на основе сверхрешеток GaAs/AlGaAs |
Type |
Journal Article |
Year |
2011 |
Publication |
Журнал технической физики |
Abbreviated Journal |
ЖТФ |
Volume |
81 |
Issue |
6 |
Pages |
80-86 |
Keywords |
|
Abstract |
Проведено исследование взаимодействия генераторов автоколебаний на основе 30-периодной слабосвязанной сверхрешетки GaAs/AlGaAs. Воздействие одного генератора автоколебаний на другой осуществлялось при заданном постоянном смещении в отсутствие в одном из них генерации автономных колебаний. Показано, что вынужденные колебания в захватывающем генераторе возникают из-за возбуждения колебаний в системе связанных осцилляторов, образующих границу электрополевого домена на частоте одной из высших гармоник вынуждающего колебания. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
RPLAB @ gujma @ |
Serial |
711 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Васильева, И. А.; Компанеец, В. В.; Красная, Ж. А.; Чижикова, З. А. |
Title |
Проявление внутримолекулярных вибронных взаимодействий в тонкоструктурных спектрах флуоресценции и возбуждения флуоресценции полиеновых δ-диметиламинокетонов |
Type |
Journal Article |
Year |
2011 |
Publication |
Оптический журнал |
Abbreviated Journal |
Опт. ж. |
Volume |
78 |
Issue |
5 |
Pages |
3-8 |
Keywords |
спектры флуоресценции; вибрационный анализ; адиабатическое гармоническое приближение; бесфононная линия; фононное крыло |
Abstract |
Проведен вибрационный анализ спектров флуоресценции и возбуждения флуоресценции, полученных методом Шпольского при 4,2 K. Рассчитаны параметры внутримолекулярных взаимодействий двух δ-диметиламинокетонов. Для определения интегральных интенсивностей вибронных полос в спектрах с тонкой структурой на интенсивном сплошном фоне выполнено моделирование спектров путем представления полосы каждого из вибронных переходов бесфононной линией и фононным крылом с определенными параметрами (полуширинами, фактором Дебая–Валлера). Показано, что нарушение зеркальной симметрии в сопряженных спектрах флуоресценции и возбуждения флуоресценции этих двух соединений может быть обÑŠяснено интерференцией франк-кондоновского и герцберг-теллеровского взаимодействий. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
RPLAB @ gujma @ |
Serial |
721 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Пентин, И. В.; Смирнов, К. В.; Вахтомин, Ю. Б.; Смирнов, А. В.; Ожегов, Р. В.; Дивочий, А. В.; Гольцман, Г. Н. |
Title |
Быстродействующий терагерцевый приемник и инфракрасный счетчик одиночных фотонов на эффекте разогрева электронов в сверхпроводниковых тонкопленочных наноструктурах |
Type |
Journal Article |
Year |
2011 |
Publication |
Труды МФТИ |
Abbreviated Journal |
Труды МФТИ |
Volume |
3 |
Issue |
2 |
Pages |
38-42 |
Keywords |
SSPD, SNSPD, HEB |
Abstract |
Представлены результаты создания приемных систем терагерцевого диапазона (0.3-70 ТГц), обладающих рекордным быстродействием (50 пс) и высокой чувствительностью (до 5x 10^(-14) Вт/Гц^(1/2)), а также однофотонных приемных систем ближнего инфракрасного диапазона с квантовой эффективностью 25 %, уровнем темнового счета 10-1c., максимальной скоростью счета ~ 100 МГц и временным разрешением до 50 пс. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
RPLAB @ gujma @ |
Serial |
707 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Корнеев, А. А.; Минаева, О.; Рубцова, И.; Милостная, И.; Чулкова, Г.; Воронов, Б.; Смирнов, К.; Селезнёв, В.; Гольцман, Г.; Pearlman, A.; Slysz, W.; Cross, A.; Alvarez, P.; Верёвкин, А.; Sobolewski, R. |
Title |
Сверхпроводящий однофотонный детектор на основе ультратонкой пленки NbN |
Type |
Journal Article |
Year |
2005 |
Publication |
Квантовая электроника |
Abbreviated Journal |
|
Volume |
35 |
Issue |
8 |
Pages |
698-700 |
Keywords |
NbN SSPD, SNSPD |
Abstract |
Представлены результаты исследований сверхпроводящих однофотонных детекторов, изготовленных из ультратонкой пленки NbN. Развитие технологического процесса изготовления детекторов, а также снижение рабочей температуры до 2 К позволили существенно увеличить квантовую эффективность: для видимого света (λ = 0.56 мкм) она составила 30%–40%, т.е. достигла предела, определяемого коэффициентом поглощения пленки. С ростом длины волны квантовая эффективность экспоненциально падает, составляя ~20% на λ=1.55 мкм и ~0.02% на λ = 5 мкм. При скорости темнового счета ~10-4s-1 экспериментально измеренная эквивалентная мощность шума составила 1.5 × 10-20 Вт/Гц-1/2; в дальнейшем она может быть уменьшена до рекордно низкого значения 5 × 10-21 Вт/Гц-1/2. Временное разрешение детектора равно 30 пс. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
Duplicated as 383 (Superconducting single-photon ultrathin NbN film detector) |
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
382 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Третьяков, И.В.; Рябчун, С.А.; Каурова, Н.С.; Ларионов, П.А.; Лобастова, А.А.; Воронов, Б.М.; Финкель, М.И.; Гольцман, Г.Н. |
Title |
Оптимальная поглощенная мощность гетеродина для терагерцового сверхпроводникового NbN смесителя на электронном разогреве |
Type |
Journal Article |
Year |
2010 |
Publication |
Письма в Журнал технической физики |
Abbreviated Journal |
Письма в ЖТФ |
Volume |
36 |
Issue |
23 |
Pages |
78-84 |
Keywords |
|
Abstract |
Представлены результаты измерений поглощенной мощности гетеродина малошумящим широкополосным смесителем на эффекте электронного разогрева в резистивном состоянии сверхпроводниковой ультратонкой пленки NbN. Оптимальная поглощенная мощность гетеродина составила около 100 nW на частоте 2.5 THz. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
RPLAB @ gujma @ |
Serial |
703 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Смирнов, А. В.; Карманцов, М. С.; Смирнов, К. В.; Вахтомин, Ю. Б.; Мастеров, Д. В.; Тархов, М. А.; Павлов, С. А.; Парафин, А. Е. |
Title |
Терагерцовый отклик болометров на основе тонких пленок YBCO |
Type |
Journal Article |
Year |
2012 |
Publication |
ЖТФ |
Abbreviated Journal |
ЖТФ |
Volume |
82 |
Issue |
12 |
Pages |
108-111 |
Keywords |
YBCO HEB NEP |
Abstract |
Представлены первые результаты измерения болометрического отклика высокотемпературных сверхпроводниковых детекторов на основе тонких пленок YBCO на электромагнитное излучение с частотой 2.5 THz. Минимальное значение оптической мощности, эквивалентной шуму созданных детекторов, составило 3.5· 10-9 W/sqrt(Hz)sqrt. Обсуждена возможность дальнейшего увеличения чувствительности исследуемых детекторов. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1825 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Гальперин, Ю. М.; Гершензон, Е. М.; Дричко, И. Л.; Литвак-Горская, Л. Б. |
Title |
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах |
Type |
Journal Article |
Year |
1990 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
Volume |
24 |
Issue |
1 |
Pages |
3-24 |
Keywords |
compensated n-InSb, impurities |
Abstract |
Представлен обзор результатов цикла исследований природы электропроводности предельно очищенных образцов антимонида индия n-типа. Рассмотрены способы определения концентрации доноров и степени компенсации в этом материале, обсуждается роль свободных и локализованных на донорах электронов в электропроводности при гелиевых температурах. Обсуждение основано на анализе результатов исследования гальваномагнитных явлений, поглощения СВЧ излучения миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов и ультразвука. Рассмотрены способы определения характеристик материала на основе комплекса результатов, полученных с помощью указанных методов. Обсуждается также фотопроводимость по примесям в n-InSb. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1756 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М. |
Title |
Особенности температурной зависимости холловской подвижности в легированных и некомпенсированных полупроводниках |
Type |
Journal Article |
Year |
1989 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
Volume |
23 |
Issue |
2 |
Pages |
338-345 |
Keywords |
weakly compensated Si, Ge, doped, Hall mobility |
Abstract |
На примере легированного и слабо компенсированного Si⟨B⟩ проведены исследования особенностей температурной зависимости подвижности при различных механизмах рассеяния. Уточнен метод определения концентрации компенсирующей примеси по μI(T). Полученные результаты обсуждаются и для Ge. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1758 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Банная, В. Ф.; Веселова, Л. И.; Гершензон, Е. М.; Гусинский, Э. Н.; Литвак-Горская, Л. Б. |
Title |
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла |
Type |
Journal Article |
Year |
1990 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
Физика и техника полупроводников |
Volume |
24 |
Issue |
12 |
Pages |
2145-2150 |
Keywords |
Hall constant, concentration of impurities, p-Si |
Abstract |
На примере p-Si⟨B,\,Ga⟩ с различной степенью компенсации проведена сравнительная оценка точности определения раздельной концентрации примесей по температурной зависимости концентрации дырок p(T) в случае одной и двух легирующих примесей с энергиями ионизации, различающимися менее чем в 2 раза. Исследована функция среднеквадратичного отклонения в пространстве параметров D(Nк, N2) (Nк, N1 и N2 — концентрации компенсирующих примесей бора и галлия соответственно, N2≫N1) в предположении, что N2, энергии B и Ga известны. Показано, что в случае двух легирующих примесей D(Nк, N1) в окрестностях минимума имеет «овражный» рельеф и при некоторых соотношениях между Nк и N1 разброс искомых величин превышает порядок, причем увеличение точности измерений p(T) существенного улучшения в вычислении параметров не дает. При одной легирующей примеси точность вычисления параметров высокая. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
|
Serial |
1754 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Флоря, И.Н.; Корнеева, Ю.П.; Корнеев, А.А.; Гольцман, Г.Н. |
Title |
Сверхпроводниковый однофотонный детектор для среднего инфракрасного диапазона на основе узких параллельных полосок |
Type |
Journal Article |
Year |
2011 |
Publication |
Труды Московского физико-технического института |
Abbreviated Journal |
Труды МФТИ |
Volume |
3 |
Issue |
2 |
Pages |
14-17 |
Keywords |
SSPD |
Abstract |
Мы рассматриваем ультрабыстрый сверхпроводниковый однофотонный детектор (SSPD). SSPD представляет собой тонкопленочную наноструктуру — очень узкую и длинную полоску сверхпроводника, изогнутую в виде меандра, изготовленную из пленки NbN толщиной 4 нм, нанесенной на сапфировую подложку. SSPD хорошо сопрягается с оптоволокном и легко может быть интегрирован в полностью готовую для работы приемную систему. В стремлении продвинуться в средний ИК диапозон нам удалось разработать SSPD в виде параллельно соединенных полосок с шириной полоски всего 50 нм и сохранить при этом сверхпроводящие свойства. Эти детекторы показывают более чем на порядок большую чувствительность на длине волны 3;5 мкм, чем SSPD в виде меандра. Полученные результаты открывают путь к эффективным детекторам среднего ИК-диапазона, обладающим скоростью счета свыше 1 ГГц. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
RPLAB @ gujma @ |
Serial |
706 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Масленникова, А. В.; Рябчун, С. А.; Финкель, М. И.; Каурова, Н. С.; Исупова, А. А.; Воронов, Б. М.; Гольцман, Г. Н. |
Title |
Широкополосные смесители на горячих электронах на основе NbN наноструктур |
Type |
Journal Article |
Year |
2011 |
Publication |
Труды Московского физико-технического института |
Abbreviated Journal |
Труды МФТИ |
Volume |
3 |
Issue |
2 |
Pages |
31-34 |
Keywords |
HEB mixer |
Abstract |
Мы приводим данные исследования полосы преобразования смесителей на горячих электронах (hot-electron bolometer, НЕВ), изготовленных на основе тонких пленок NbN. Зависимость полосы преобразования от длины смесительного элемента находится в прекрасном согласии с результатами теоретической модели HEB-смесителя, в котором энергетическая релаксация электронов одновременно происходит по двум каналам: фононному и диффузионному. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
RPLAB @ gujma @ |
Serial |
646 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И. |
Title |
Концентрационная зависимость полосы преобразования смесителей субмиллиметрового диапазона на основе наноструктур AlGaAs/GaAs |
Type |
Journal Article |
Year |
2010 |
Publication |
Изв. РАН Сер. Физ. |
Abbreviated Journal |
Изв. РАН Сер. Физ. |
Volume |
74 |
Issue |
1 |
Pages |
110-112 |
Keywords |
2DEG AlGaAs/GaAs heterostructures, THz heterodyne detectors, IF bandwidth |
Abstract |
Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением при Т = 4.2 К измерена концентрационная зависимость полосы преобразования гетеродинного детектирования гетероструктур AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом. С увеличением концентрации двумерных электронов ns = (1.6–6.6) · 1011см-2 ширина полосы преобразования f3dB уменьшается от 245 до 145 МГц. В исследованной области концентраций наблюдается зависимость f3dB , обусловленная рассеянием электронов на деформационном потенциале акустических фононов и пьезоэлектрическим рассеянием. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
Russian |
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
Duplicated as 1217 |
Approved |
no |
Call Number |
RPLAB @ gujma @ |
Serial |
642 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Шангина, Е. Л.; Смирнов, К. В.; Морозов, Д. В.; Ковалюк, В. В.; Гольцман, Г. Н.; Веревкин, А. А.; Торопов, А. И. |
Title |
Полоса и потери преобразования полупроводникового смесителя с фононным каналом охлаждения двумерных электронов |
Type |
Journal Article |
Year |
2010 |
Publication |
Физика и техника полупроводников |
Abbreviated Journal |
|
Volume |
44 |
Issue |
11 |
Pages |
1475-1478 |
Keywords |
2DEG, AlGaAs/GaAs heterostructures mixers |
Abstract |
Методом субмиллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением измерены температурная и концентрационная зависимости полосы преобразования смесителей терагерцового диапазона AlGaAs/GaAs на разогреве двумерных электронов с фононным каналом их охлаждения. Полоса преобразования на уровне 3 дБ (f3 dB) при 4.2 K при изменении концентрации ns варьируется в пределах 150-250 МГц в соответствии со степенным законом f3 dB propto ns-0.5, что соответствует доминирующему механизму рассеяния на пьезоэлектрических фононах. Минимальное значение коэффициента потерь преобразования полупроводникового смесителя достигается в структурах с высокой подвижностью носителей mu>3·105 см2/В·с при 4.2 K. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
Duplicated as 1216 |
Approved |
no |
Call Number |
RPLAB @ gujma @ |
Serial |
702 |
Permanent link to this record |
|
|
|
Author |
Манова, Н.Н.; Корнеева, Ю.П.; Корнеев, А.А.; Слыш, В.; Воронов, Б.М.; Гольцман, Г.Н. |
Title |
Сверхпроводниковый NbN однофотонный детектор, интегрированный с четвертьволновым резонатором |
Type |
Journal Article |
Year |
2011 |
Publication |
Письма в Журнал технической физики |
Abbreviated Journal |
ПЖТФ |
Volume |
37 |
Issue |
10 |
Pages |
7 |
Keywords |
SSPD |
Abstract |
Исследована спектральная зависимость квантовой эффективности сверхпроводниковых NbN однофотонных детекторов, интегрированных с оптическими четвертьволновыми резонаторами с использованием диэлектриков Si3N4, SiO2, SiO. |
Address |
|
Corporate Author |
|
Thesis |
|
Publisher |
|
Place of Publication |
|
Editor |
|
Language |
|
Summary Language |
|
Original Title |
|
Series Editor |
|
Series Title |
|
Abbreviated Series Title |
|
Series Volume |
|
Series Issue |
|
Edition |
|
ISSN |
|
ISBN |
|
Medium |
|
Area |
|
Expedition |
|
Conference |
|
Notes |
|
Approved |
no |
Call Number |
RPLAB @ gujma @ |
Serial |
637 |
Permanent link to this record |